Infineon CoolMOS™ IPS60R1K0CEAKMA1 N-Kanal Dual, THT MOSFET Transistor & Diode 650 V / 6,8 A, 3-Pin IPAK (TO-251)
- RS Best.-Nr.:
- 220-7438
- Herst. Teile-Nr.:
- IPS60R1K0CEAKMA1
- Marke:
- Infineon
1500 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer Stange von 75)
0,617 €
(ohne MwSt.)
0,734 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
---|---|---|
75 - 75 | 0,617 € | 46,275 € |
150 - 300 | 0,475 € | 35,625 € |
375 - 675 | 0,444 € | 33,30 € |
750 - 1800 | 0,413 € | 30,975 € |
1875 + | 0,383 € | 28,725 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 220-7438
- Herst. Teile-Nr.:
- IPS60R1K0CEAKMA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Infineon Cool MOS CE ist für harte und weiche Schaltanwendungen geeignet und bietet als moderne Super-Junction niedrige Leitungs- und Schaltverluste, die die Effizienz verbessern und letztendlich den Stromverbrauch reduzieren. 600 V, 650 V und 700 V Cool MOS CE kombinieren den optimalen R DS(on) und das Gehäuse, das in Ladegeräten mit geringer Leistungsaufnahme für Mobiltelefone und Tablets geeignet ist.
Schmale Ränder zwischen typisch und max. R DS(on)
Geringere Energiespeicherung in der Ausgangskapazität (E oss)
Gute Robustheit der Gehäusediode und geringere Rückgewinnungsladung (Q rr)
Optimierte integrierte R g.
Geringe Leitungsverluste
Niedrige Schaltverluste
Geeignet für hartes und weiches Schalten
Leicht steuerbares Schaltverhalten
Verbesserte Effizienz und daraus resultierende Reduzierung des Stromverbrauchs
Weniger Aufwand beim Design
Einfach zu verwenden
Geringere Energiespeicherung in der Ausgangskapazität (E oss)
Gute Robustheit der Gehäusediode und geringere Rückgewinnungsladung (Q rr)
Optimierte integrierte R g.
Geringe Leitungsverluste
Niedrige Schaltverluste
Geeignet für hartes und weiches Schalten
Leicht steuerbares Schaltverhalten
Verbesserte Effizienz und daraus resultierende Reduzierung des Stromverbrauchs
Weniger Aufwand beim Design
Einfach zu verwenden
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 6,8 A |
Drain-Source-Spannung max. | 650 V |
Serie | CoolMOS™ |
Gehäusegröße | IPAK (TO-251) |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 1 O |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
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