Infineon CoolMOS™ IPS60R1K0CEAKMA1 N-Kanal Dual, THT MOSFET Transistor & Diode 650 V / 6,8 A, 3-Pin IPAK (TO-251)

Der Infineon Cool MOS CE ist für harte und weiche Schaltanwendungen geeignet und bietet als moderne Super-Junction niedrige Leitungs- und Schaltverluste, die die Effizienz verbessern und letztendlich den Stromverbrauch reduzieren. 600 V, 650 V und 700 V Cool MOS CE kombinieren den optimalen R DS(on) und das Gehäuse, das in Ladegeräten mit geringer Leistungsaufnahme für Mobiltelefone und Tablets geeignet ist.

Schmale Ränder zwischen typisch und max. R DS(on)
Geringere Energiespeicherung in der Ausgangskapazität (E oss)
Gute Robustheit der Gehäusediode und geringere Rückgewinnungsladung (Q rr)
Optimierte integrierte R g.
Geringe Leitungsverluste
Niedrige Schaltverluste
Geeignet für hartes und weiches Schalten
Leicht steuerbares Schaltverhalten
Verbesserte Effizienz und daraus resultierende Reduzierung des Stromverbrauchs
Weniger Aufwand beim Design
Einfach zu verwenden