Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 6.8 A 61 W, 3-Pin TO-251
- RS Best.-Nr.:
- 220-7439
- Herst. Teile-Nr.:
- IPS60R1K0CEAKMA1
- Marke:
- Infineon
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- IPS60R1K0CEAKMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-251 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13nC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 61W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 2.4 mm | |
| Höhe | 6.22mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-251 | ||
Serie CoolMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13nC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 61W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 2.4 mm | ||
Höhe 6.22mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon Cool MOS CE ist für harte und weiche Schaltanwendungen geeignet und bietet als moderne Super-Junction niedrige Leitungs- und Schaltverluste, die die Effizienz verbessern und letztendlich den Stromverbrauch reduzieren. 600 V, 650 V und 700 V Cool MOS CE kombinieren den optimalen R DS(on) und das Gehäuse, das in Ladegeräten mit geringer Leistungsaufnahme für Mobiltelefone und Tablets geeignet ist.
Schmale Ränder zwischen typisch und max. R DS(on)
Geringere Energiespeicherung in der Ausgangskapazität (E oss)
Gute Robustheit der Gehäusediode und geringere Rückgewinnungsladung (Q rr)
Optimierte integrierte R g.
Geringe Leitungsverluste
Niedrige Schaltverluste
Geeignet für hartes und weiches Schalten
Leicht steuerbares Schaltverhalten
Verbesserte Effizienz und daraus resultierende Reduzierung des Stromverbrauchs
Weniger Aufwand beim Design
Einfach zu verwenden
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