Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET & Diode Erweiterung 700 V / 9.4 A 25 W, 3-Pin TO-251

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RS Best.-Nr.:
220-7443
Herst. Teile-Nr.:
IPSA70R1K2P7SAKMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET & Diode

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

700V

Serie

CoolMOS P7

Gehäusegröße

TO-251

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.2Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.8nC

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Maximale Verlustleistung Pd

25W

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.6mm

Breite

2.38 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

6.1mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon hat die Super Junction MOSFET-Serie 700V Cool MOS P7 entwickelt, um den heutigen und insbesondere den Trends von morgen in Fly-Back-Topologien gerecht zu werden. Es richtet sich an den energiesparenden SMPS-Markt, wie z. B. Mobiltelefon-Ladegeräte oder Notebook-Adapter, indem es grundlegende Leistungsverbesserungen im Vergleich zu heute verwendeten Super-Junction-Technologien bietet. Durch die Kombination von Kundenfeedback mit über 20 Jahren Super Junction MOSFET-Erfahrung ermöglicht 700V Cool MOS P7 eine optimale Passform für Zielanwendungen in Bezug auf:

Extrem niedriger FOM R DS(on) x E oss; Untere Q g, E ein und E aus

Hochleistungsfähige Technologie

Geringe Schaltverluste (E oss)

Hoher Wirkungsgrad

Ausgezeichnetes thermisches Verhalten

Ermöglicht Hochgeschwindigkeitsschalten

Integrierte Zenerdiode

Optimierte V (GS) der von 3 V mit sehr geringer Toleranz von ±0,5 V

Fein abgestuftes Portfolio

Kostengünstige Technologie

Bis zu 2,4 % Effizienzverstärkung und 12 K niedrigere Gerätetemperatur Im Vergleich zur C6-Technologie

Weitere Effizienzverstärkung bei höherer Schaltgeschwindigkeit

Unterstützt weniger magnetische Größe mit geringeren BOM-Kosten

Hohe ESD-Robustheit bis zur Stufe HBM Klasse 2

Einfach zu fahren und zu entwickeln

Enabler für kleinere Formfaktoren und Designs mit hoher Leistungsdichte

Ausgezeichnete Wahl bei der Auswahl des am besten passenden Produkts

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