Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 100 A 313 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
217-2594
Herst. Teile-Nr.:
IRF200P223
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

11.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

313W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

55nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

5.31mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

34.9mm

Länge

15.87mm

Automobilstandard

Nein

Die Leistungs-MOSFET-Familie von Infineon Strong IRFET ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio ist für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet, einschließlich DC-Motoren, Batterie- und Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und DC/DC-Wandler. .

Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dv/dt-Robustheit

Vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche SOA

Verbesserte Gehäusediode dv/dt und di/dt-Fähigkeit

Bleifrei ; RoHS-kompatibel ; Halogenfrei

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