Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 9 A 2.5 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
217-2606
Herst. Teile-Nr.:
IRF7469TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

21mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

39nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

1.75mm

Breite

3.9 mm

Länge

4.9mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 40-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse.

Besonders niedrige Gate-Impedanz

Sehr niedriger RDS(on)

Lawinenspannung und -strom umfassend beschrieben

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