Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 1.9 A 2.5 W, 8-Pin SO-8

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*

9,40 €

(ohne MwSt.)

11,175 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 7.975 Einheit(en) mit Versand ab 26. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
25 - 1000,376 €9,40 €
125 - 2250,357 €8,93 €
250 - 6000,342 €8,55 €
625 - 12250,327 €8,18 €
1250 +0,218 €5,45 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
262-6736
Distrelec-Artikelnummer:
304-41-668
Herst. Teile-Nr.:
IRF7465TRPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

280mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

4 mm

Höhe

1.75mm

Länge

5mm

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von Infineon verfügt über eine niedrige Gate-to-Drain-Ladung, um Schaltverluste zu reduzieren. Er ist für den Einsatz mit Hochfrequenz-DC/DC-Wandlern geeignet.

Vollständig charakterisierte Lawinen-Spannung und -Strom

Verwandte Links