Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 1.9 A 2.5 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
262-6735
Herst. Teile-Nr.:
IRF7465TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

280mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.75mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

4 mm

Länge

5mm

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von Infineon verfügt über eine niedrige Gate-to-Drain-Ladung, um Schaltverluste zu reduzieren. Er ist für den Einsatz mit Hochfrequenz-DC/DC-Wandlern geeignet.

Vollständig charakterisierte Lawinen-Spannung und -Strom

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