Infineon IAUA N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 200 A 81 W, 8-Pin PG-HSOF-5

RS Best.-Nr.:: 218-2987
Herst. Teile-Nr.:: IAUA200N04S5N010AUMA1
Marke:: Infineon

Infineon IAUA N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 200 A 81 W, 8-Pin PG-HSOF-5

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RS Best.-Nr.:: 218-2987
Herst. Teile-Nr.:: IAUA200N04S5N010AUMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	200A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Serie	IAUA
	Gehäusegröße	PG-HSOF-5
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	80nC
	Maximale Verlustleistung Pd	81W
	Durchlassspannung Vf	1.1V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 200A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Serie IAUA
	Gehäusegröße PG-HSOF-5
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC
	Maximale Verlustleistung Pd 81W
	Durchlassspannung Vf 1.1V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - IAUA200N04S5N010AUMA1

MOSFET der Serie IAUA von Infineon, 40 V maximale Drain-Source-Spannung, 200 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IAUA200N04S5N010AUMA1

Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Transistor, der für oberflächenmontierte Leistungsschaltung und -steuerung in anspruchsvollen Umgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen erweiterten Temperaturbereich und unterstützt die Qualifizierung auf Automobilniveau, wodurch er sich für Anwendungen eignet, die eine robuste thermische Toleranz und einen dauerhaft hohen Ablassstrom erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• 1 mΩ RDS(on) minimiert Leitungsverluste
• 200 A Dauerstrom ermöglichen das Schalten bei hoher Last
• Die Ablassspannung von 40 V unterstützt Niederspannungs-Stromversorgungssysteme
• Die Gate-Ladung von 80 nC ermöglicht ein vorhersehbares Schaltverhalten
• 81 W Verlustleistung bewältigt erhebliche thermische Belastung

Anwendungsbereich

• Geeignet für Kraftfahrzeug-Power-Management-Module
• Ideal für Hochstrommotor-Treiberstufen
• Einsatz mit DC/DC-Wandlern in der Stromverteilung
• Kann zum Schalten von Lasten in industriellen Steuerungen verwendet werden

Welche Gate-Spannungsgrenzwerte müssen beachtet werden?

Das Gerät nimmt Gate-Antriebe bis zu 20 V auf und sollte diesen Wert nicht überschreiten, um Gate-Spannungen zu vermeiden.

Wie verhält er sich bei extremen Temperaturen?

Es arbeitet von -55 °C bis 175 °C und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit großer Temperaturschwankung.

Welches Gehäuse und welche Befestigungsart sind vorhanden?

Die Komponente wird in einem PG‐HSOF‐5-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist.

Welche Kfz-Qualifizierung gilt für dieses Teil?

Er erfüllt den AEC-Q101-Standard für elektronische Komponenten im Automobilbereich.