Infineon 600V CoolMOS P6 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 600 V / 23.8 A 176 W, 3-Pin TO-220

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Herst. Teile-Nr.:
IPA60R160P6XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

23.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

600V CoolMOS P6

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

160mΩ

Channel-Modus

N

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

44nC

Maximale Verlustleistung Pd

176W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

21.1mm

Breite

5.21mm

Länge

16.13mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 600 V CoolMOS TM N-Kanal-Leistungs-MOSFET. Die CoolMOS TM P6-Superjunction-MOSFET-Familie wurde entwickelt, um eine höhere Systemeffizienz zu ermöglichen und gleichzeitig einfach zu gestalten. Die extrem niedrigen Schalt- und Leitungsverluste machen Schaltanwendungen noch effizienter, kompakter, leichter und kühler.

Erhöhte MOSFET-dv/dt-Robustheit

Sehr hohe Kommutierungsbeständigkeit

Einfach zu verwenden/zu treiben

Bleifreie Beschichtung, halogenfreie Formmasse

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