Infineon OptiMOS-TM3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 80 V / 45 A 79 W, 3-Pin TO-252

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*

1.062,50 €

(ohne MwSt.)

1.265,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 7.500 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
  • Zusätzlich 2.500 Einheit(en) mit Versand ab 04. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2500 - 25000,425 €1.062,50 €
5000 +0,404 €1.010,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
218-3039
Herst. Teile-Nr.:
IPD135N08N3GATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

45A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

OptiMOS-TM3

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13.5mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

79W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

19nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.41mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.73mm

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon OptiMOS-Serie. OptiMOS ist der Marktführer in hocheffizienten Lösungen für die Stromerzeugung (z. B. Solar-Mikrowechselrichter), Stromversorgung (z. B. Server und Telekommunikation) und Stromverbrauch (z. B. Elektrofahrzeug).

N-Kanal, normale

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Pb-frei Beschichtung

Verwandte Links