Infineon OptiMOS-TM3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 80 V / 45 A 79 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
218-3039
Herst. Teile-Nr.:
IPD135N08N3GATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

45A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

OptiMOS-TM3

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13.5mΩ

Channel-Modus

N

Maximale Verlustleistung Pd

79W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

19nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

6.22 mm

Höhe

2.41mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.73mm

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon OptiMOS-Serie. OptiMOS ist der Marktführer in hocheffizienten Lösungen für die Stromerzeugung (z. B. Solar-Mikrowechselrichter), Stromversorgung (z. B. Server und Telekommunikation) und Stromverbrauch (z. B. Elektrofahrzeug).

N-Kanal, normale

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Pb-frei Beschichtung

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