Infineon OptiMOS-TM3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 80 V / 45 A 79 W, 3-Pin TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*

12,20 €

(ohne MwSt.)

14,60 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 8.200 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
20 - 800,61 €12,20 €
100 - 1800,58 €11,60 €
200 - 4800,555 €11,10 €
500 - 9800,531 €10,62 €
1000 +0,494 €9,88 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
218-3041
Herst. Teile-Nr.:
IPD135N08N3GATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

45A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

OptiMOS-TM3

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13.5mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

79W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

19nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.41mm

Länge

6.73mm

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon OptiMOS-Serie. OptiMOS ist der Marktführer in hocheffizienten Lösungen für die Stromerzeugung (z. B. Solar-Mikrowechselrichter), Stromversorgung (z. B. Server und Telekommunikation) und Stromverbrauch (z. B. Elektrofahrzeug).

N-Kanal, normale

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Pb-frei Beschichtung

Verwandte Links