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    Infineon OptiMOS™ 3 IPD135N08N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 45 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

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    1000 +0,638 €12,76 €

    *Bitte VPE beachten

    Verpackungsoptionen:
    RS Best.-Nr.:
    218-3041
    Herst. Teile-Nr.:
    IPD135N08N3GATMA1
    Marke:
    Infineon

    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.45 A
    Drain-Source-Spannung max.80 V
    GehäusegrößeDPAK (TO-252)
    SerieOptiMOS™ 3
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.0,0135 Ω
    Gate-Schwellenspannung max.3.5V
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Transistor-WerkstoffSi

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