Infineon OptiMOS™ 3 IPD135N08N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 45 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 218-3041
Herst. Teile-Nr.:: IPD135N08N3GATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS™ 3 IPD135N08N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 45 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Preis pro Stück (In einer VPE à 20)

0,788 €

(ohne MwSt.)

0,938 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
20 - 80	0,788 €	15,76 €
100 - 180	0,748 €	14,96 €
200 - 480	0,717 €	14,34 €
500 - 980	0,685 €	13,70 €
1000 +	0,638 €	12,76 €

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RS Best.-Nr.:: 218-3041
Herst. Teile-Nr.:: IPD135N08N3GATMA1
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Datasheet - IPD135N08N3GATMA1

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon OptiMOS-Serie. OptiMOS ist der Marktführer in hocheffizienten Lösungen für die Stromerzeugung (z. B. Solar-Mikrowechselrichter), Stromversorgung (z. B. Server und Telekommunikation) und Stromverbrauch (z. B. Elektrofahrzeug).

N-Kanal, normale
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Pb-frei Beschichtung

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	45 A
Drain-Source-Spannung max.	80 V
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Serie	OptiMOS™ 3
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	0,0135 Ω
Gate-Schwellenspannung max.	3.5V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si

Infineon OptiMOS™ 3 IPD135N08N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 45 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

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