Infineon 600V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 12 A 53 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
218-3050
Herst. Teile-Nr.:
IPD60R280P7SAUMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

600V CoolMOS P7

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

280mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

18nC

Maximale Verlustleistung Pd

53W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

2.41mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.73mm

Breite

6.22 mm

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon Serie 600V CoolMOS TM P7. Er hat extrem niedrige Schalt- und Leitungsverluste, was Schaltanwendungen noch effizienter, kompakter und wesentlich kühler macht.

Deutliche Reduzierung von Schalt- und Leitungsverlusten

Geeignet für hartes und weiches Schalten

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