Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 93 A 79 W, 3-Pin TO-252

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Herst. Teile-Nr.:
IRFR3711ZTRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

93A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.8mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

27nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

79W

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

10V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

2.39mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

6.22mm

Länge

6.73mm

Automobilstandard

Nein

Der 20-V-Einfach-N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon HEXFET-Serie. Dieses Gerät ist ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern.

Besonders niedrige Gate-Impedanz

Ohne Leitung

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