Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 51 A 230 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 218-3120
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS52N15DTRLP
- Marke:
- Infineon
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- IRFS52N15DTRLP
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 51A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 32mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 230W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 89nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 9.65mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 51A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 32mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 230W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 89nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 9.65mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der 1-N-Kanal-IR-MOSFET der Infineon IRFS-Serie. Dieser MOSFET wird in Hochfrequenz-DC/DC-Wandlern, Plasma-Display-Panels usw. verwendet
Bleifrei
Erhebliche Reduzierung der Schaltverluste
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