Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 51 A 82 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 214-4464
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFZ46ZSTRLPBF
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt sichern
75 weitere Einheiten hinzufügen, um 5% zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 15 Stück)*
21,12 €
(ohne MwSt.)
25,14 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 04. Februar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|---|
| 15 - 60 | 1,408 € | 21,12 € | - |
| 75 - 135 | 1,337 € | 20,06 € | 5% |
| 150 - 360 | 1,309 € | 19,64 € | 7% |
| 375 - 735 | 1,225 € | 18,38 € | 12% |
| 750 + | 1,14 € | 17,10 € | 19% |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-4464
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFZ46ZSTRLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 51A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13.6mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 82W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 46nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 51A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.6mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 82W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 46nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dieser starke IRFET-Leistungs-MOSFET von Infineon ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Er ist ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern.
Er ist für die synchrone Gleichrichtung optimiert
Verwandte Links
- Infineon HEXFET N-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 55 V / 51 A TO-263
- Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 131 A 200 W TO-263
- Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 64 A 130 W TO-263
- Infineon HEXFET N-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET N-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET N-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET -55 V / -42 A 170 W TO-263