Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 51 A 82 W, 3-Pin IRFZ46ZSTRLPBF TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 15 Stück)*

16,905 €

(ohne MwSt.)

20,115 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 1.185 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
15 - 601,127 €16,91 €
75 - 1351,071 €16,07 €
150 - 3601,049 €15,74 €
375 - 7350,981 €14,72 €
750 +0,913 €13,70 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
214-4464
Herst. Teile-Nr.:
IRFZ46ZSTRLPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

51A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13.6mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

82W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

46nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Dieser starke IRFET-Leistungs-MOSFET von Infineon ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Er ist ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern.

Er ist für die synchrone Gleichrichtung optimiert

Verwandte Links