Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 51 A 82 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 214-4463
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFZ46ZSTRLPBF
- Marke:
- Infineon
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- 214-4463
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFZ46ZSTRLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 51A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13.6mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 46nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 82W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 51A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.6mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 46nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 82W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dieser starke IRFET-Leistungs-MOSFET von Infineon ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Er ist ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern.
Er ist für die synchrone Gleichrichtung optimiert
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