Infineon HEXFET IRF2807STRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 82 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 214-4444
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF2807STRLPBF
- Marke:
- Infineon
70 Lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 22 Uhr.
920 weitere lieferbar innerhalb 1 Werktag(e) (Mo-Fr).
Im Warenkorb
Preis pro Stück (In einer VPE à 10)
1,462 €
(ohne MwSt.)
1,74 €
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
| 10 - 40 | 1,462 € | 14,62 € |
| 50 - 90 | 1,389 € | 13,89 € |
| 100 - 240 | 1,331 € | 13,31 € |
| 250 - 490 | 1,271 € | 12,71 € |
| 500 + | 1,184 € | 11,84 € |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 214-4444
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF2807STRLPBF
- Marke:
- Infineon
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Dieser Infineon HEXFET Leistungs-MOSFET nutzt Advanced Processing Techniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und Robustheit Das Gerätedesign bietet ein zuverlässiges und effizientes Gerät
Er ist für eine Volllawine ausgelegt
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 82 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 75 V |
| Serie | HEXFET |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,013 Ω |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Verwandte Produkte
- Infineon HEXFET IRF1407STRLPBF N-Kanal 3-Pin D2PAK (TO-263)
- Infineon HEXFET IRFS3307ZTRLPBF N-Kanal 3-Pin D2PAK (TO-263)
- Infineon HEXFET IRFS7730TRLPBF N-Kanal 3-Pin D2PAK (TO-263)
- Infineon HEXFET IRF3808STRLPBF N-Kanal 3-Pin D2PAK (TO-263)
- Infineon HEXFET IRF2907ZSTRLPBF N-Kanal 3-Pin D2PAK (TO-263)
- Infineon HEXFET IRF630NSTRLPBF N-Kanal3 A 82 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- Infineon HEXFET IRF2807ZSTRLPBF N-Kanal 3-Pin D2PAK (TO-263)
- Infineon HEXFET AUIRF5210STRL P-Kanal 3-Pin D2PAK (TO-263)