Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 82 A 230 W, 3-Pin IRF2807STRLPBF TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

14,76 €

(ohne MwSt.)

17,56 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 850 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
  • Zusätzlich 2.550 Einheit(en) mit Versand ab 12. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 401,476 €14,76 €
50 - 901,403 €14,03 €
100 - 2401,343 €13,43 €
250 - 4901,284 €12,84 €
500 +1,195 €11,95 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
214-4444
Herst. Teile-Nr.:
IRF2807STRLPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

82A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

160nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

230W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Distrelec Product Id

304-39-413

Automobilstandard

Nein

Dieser Infineon HEXFET Leistungs-MOSFET nutzt Advanced Processing Techniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und Robustheit Das Gerätedesign bietet ein zuverlässiges und effizientes Gerät

Er ist für eine Volllawine ausgelegt

Verwandte Links