Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 82 A 230 W, 3-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)*

604,00 €

(ohne MwSt.)

718,40 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 2.400 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
800 - 8000,755 €604,00 €
1600 +0,717 €573,60 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
214-4443
Herst. Teile-Nr.:
IRF2807STRLPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

82A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

160nC

Maximale Verlustleistung Pd

230W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Dieser Infineon HEXFET Leistungs-MOSFET nutzt Advanced Processing Techniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und Robustheit Das Gerätedesign bietet ein zuverlässiges und effizientes Gerät

Er ist für eine Volllawine ausgelegt

Verwandte Links