STMicroelectronics RF3L05150CB4 N-Kanal, SMD MOSFET 90 V / 2,5 A, 5-Pin LBB
- RS Best.-Nr.:
- 218-4819
- Herst. Teile-Nr.:
- RF3L05150CB4
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RF3L05150CB4
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- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 2,5 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 90 V | |
| Gehäusegröße | LBB | |
| Serie | RF3L05150CB4 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1 Ω | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 2,5 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 90 V | ||
Gehäusegröße LBB | ||
Serie RF3L05150CB4 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 1 Ω | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Der STMicroelectronics xxxx ist der Art-LDMOS-FET, der für Breitbandkommunikation und ISM-Anwendungen mit Frequenzen von HF bis 1 GHz entwickelt wurde. Dieses Produkt findet auch Anwendung in kommerziellen 136-174-MHz-Massekommunikation und 30-512-MHz-Jammer-, Boden-/Luftkommunikationssystemen.
Verfügt über integrierten ESD-Schutz
Mit hohem Wirkungsgrad und linearer Verstärkung
Erfüllt die EU-Richtlinie 2002/95/EG
Mit hohem Wirkungsgrad und linearer Verstärkung
Erfüllt die EU-Richtlinie 2002/95/EG
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