STMicroelectronics Zweifach N-Kanal, Oberfläche MOSFET 95 V, 5-Pin LBB

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RS Best.-Nr.:
261-5583
Herst. Teile-Nr.:
RF5L15120CB4
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Zweifach N

Produkt Typ

MOSFET

Drain-Source-Spannung Vds max.

95V

Gehäusegröße

LBB

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1Ω

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

2002/95/EC

Länge

28.95mm

Höhe

2.1mm

Breite

5.85 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der 120-W-LDMOS-FET von STMicroelectronics wurde für kommerzielle Breitbandkommunikation, Fernsehübertragung, Avionik und industrielle Anwendungen mit Frequenzen von HF bis 1,5 GHz entwickelt. Er kann in Klasse AB/B und Klasse C für alle typischen Modulationsformate verwendet werden.

Hoher Wirkungsgrad und lineare Verstärkung

Integrierter ESD-Schutz

Großer positiver und negativer Gate- oder Quellspannungsbereich

Ausgezeichnete thermische Stabilität, geringe HCI-Drift

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