Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 60 V / 137 A 83 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
220-7351
Herst. Teile-Nr.:
BSC028N06NSTATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET & Diode

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

137A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TDSON

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

83W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

37nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5.35mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.2mm

Breite

6.1 mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon OptiMOS 5 Leistungs-MOSFET im SuperSO8-Gehäuse bietet die neueste Technologie zusammen mit Temperaturverbesserungen im Gehäuse. Diese neue Kombination ermöglicht eine höhere Leistungsdichte sowie eine verbesserte Robustheit. Im Vergleich zu Geräten mit niedrigerer Nennleistung bietet die TJ_MAX-Funktion von 175 °C entweder mehr Leistung bei einer höheren Betriebstemperatur der Verbindung oder eine längere Lebensdauer bei der gleichen Betriebstemperatur der Verbindung. Darüber hinaus wird eine Verbesserung um 20 % im sicheren Betriebsbereich (SOA) erreicht. Diese neue Gehäusefunktion ist perfekt für Anwendungen wie Telekommunikation, Motorantriebe und Server geeignet.

Niedriger RDS (EIN)

Optimiert für synchrone Gleichrichtung

Verbesserte 175 °C-Fähigkeit in SuperSO8

Längere Lebensdauer

Höchste Effizienz und Leistungsdichte

Höchste Systemzuverlässigkeit

Thermische Robustheit

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