Infineon CoolMOS™ P7 IPB60R060P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 650 V / 151 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Der Infineon 600 V Cool MOS P7 Super Junction MOSFET ist der Nachfolger der 600 V Cool MOS P6-Serie. Es ist weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen der Notwendigkeit eines hohen Wirkungsgrads und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Der branchenführende RonxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (QG) der Cool MOS Plattform der 7. Generation sorgen für seinen hohen Wirkungsgrad.

600 V P7 ermöglicht ausgezeichnete FOM RDS(on)xEoss und RDS(on)xQG
ESD-Robustheit von ≥ 2 kV (HBM Klasse 2)
Integrierter Torwiderstand RG
Robuste Gehäusediode
Breites Portfolio in durchkontaktierten und SMD-Gehäusen
Es sind sowohl Standardteile als auch Industrieteile erhältlich
Ausgezeichnete FOMs RDS(on)xQG/RDS(on)xEoss ermöglichen eine höhere Effizienz
Einfache Verwendung in Fertigungsumgebungen durch Stoppen von ESD-Ausfällen
Integrierte RG reduziert die MOSFET-Oszillationsempfindlichkeit
MOSFET ist sowohl für harte als auch resonante Schalttopologien geeignet Wie PFC und LLC
Ausgezeichnete Robustheit bei harter Kommutierung der Gehäusediode In LLC-Topologie
Geeignet für eine Vielzahl von Endanwendungen und -ausgängen Leistung
Verfügbare Teile für Verbraucher- und industrielle Anwendungen