Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 151 A, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
220-7388
Herst. Teile-Nr.:
IPB60R060P7ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET & Diode

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

151A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

CoolMOS P7

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

60mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 600 V Cool MOS P7 Super Junction MOSFET ist der Nachfolger der 600 V Cool MOS P6-Serie. Es ist weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen der Notwendigkeit eines hohen Wirkungsgrads und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Der branchenführende RonxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (QG) der Cool MOS Plattform der 7. Generation sorgen für seinen hohen Wirkungsgrad.

600 V P7 ermöglicht ausgezeichnete FOM RDS(on)xEoss und RDS(on)xQG

ESD-Robustheit von ≥ 2 kV (HBM Klasse 2)

Integrierter Torwiderstand RG

Robuste Gehäusediode

Breites Portfolio in durchkontaktierten und SMD-Gehäusen

Es sind sowohl Standardteile als auch Industrieteile erhältlich

Ausgezeichnete FOMs RDS(on)xQG/RDS(on)xEoss ermöglichen eine höhere Effizienz

Einfache Verwendung in Fertigungsumgebungen durch Stoppen von ESD-Ausfällen

Integrierte RG reduziert die MOSFET-Oszillationsempfindlichkeit

MOSFET ist sowohl für harte als auch resonante Schalttopologien geeignet Wie PFC und LLC

Ausgezeichnete Robustheit bei harter Kommutierung der Gehäusediode In LLC-Topologie

Geeignet für eine Vielzahl von Endanwendungen und -ausgängen Leistung

Verfügbare Teile für Verbraucher- und industrielle Anwendungen

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