onsemi NTBL050N65S Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 49 A 305 W, 8-Pin H-PSOF

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RS Best.-Nr.:
221-6705
Herst. Teile-Nr.:
NTBL050N65S3H
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

49A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

NTBL050N65S

Gehäusegröße

H-PSOF

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

50mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

305W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

98nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

11.47mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

2.4 mm

Länge

10.8mm

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor SuperFET III MOSFET verfügt über eine Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie, die Ladungsausgleichstechnologie für einen hervorragenden niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringere Gate-Ladungsleistung nutzt. Diese Advanced Technology ist auf die Minimierung von Leitungsverlusten ausgelegt, bietet eine überlegene Schaltleistung und hält extremen dv/dt-Rate stand.

Extrem niedrige Gate-Ladung

Niedrige effektive Ausgangskapazität 909 pF

100%ig auf Stoßentladung geprüft

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