onsemi FDBL86066-F085 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 240 A 300 W, 8-Pin H-PSOF8L
- RS Best.-Nr.:
- 178-4421
- Herst. Teile-Nr.:
- FDBL86066-F085
- Marke:
- onsemi
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Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer VPE à 5)
2,576 €
(ohne MwSt.)
3,065 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 95 | 2,576 € | 12,88 € |
| 100 - 245 | 2,058 € | 10,29 € |
| 250 - 495 | 1,866 € | 9,33 € |
| 500 - 995 | 1,716 € | 8,58 € |
| 1000 + | 1,52 € | 7,60 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 178-4421
- Herst. Teile-Nr.:
- FDBL86066-F085
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- PH
Produktdetails
Merkmale
Typischer RDS(on) = 3,3 mΩ bei VGS = 10 V, ID = 80 A
Typische Qg(Tot) = 47 nC bei VGS = 10 V, ID = 80 A
UIS-Funktionen
Anwendungen
Automobil-Motorsteuergeräte
Antriebsstrang-Management
Magnet- und Motortreiber
Elektronische Lenkung
Integrierter Anlasser/Lichtmaschine
Verteilte Stromversorgungsarchitekturen und VRM
Hauptschalter-Netzteile für 12-V-Systeme
Typischer RDS(on) = 3,3 mΩ bei VGS = 10 V, ID = 80 A
Typische Qg(Tot) = 47 nC bei VGS = 10 V, ID = 80 A
UIS-Funktionen
Anwendungen
Automobil-Motorsteuergeräte
Antriebsstrang-Management
Magnet- und Motortreiber
Elektronische Lenkung
Integrierter Anlasser/Lichtmaschine
Verteilte Stromversorgungsarchitekturen und VRM
Hauptschalter-Netzteile für 12-V-Systeme
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 240 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
| Gehäusegröße | H-PSOF8L |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 4,1 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
| Verlustleistung max. | 300 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
| Länge | 9.9mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 47 nC @ 10 V |
| Breite | 11.78mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Höhe | 2.4mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.25V |
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