onsemi SUPERFET III Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 40 A 313 W, 4-Pin H-PSOF

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RS Best.-Nr.:
230-9082
Herst. Teile-Nr.:
NTBL082N65S3HF
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

H-PSOF

Serie

SUPERFET III

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

82mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

313W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

79nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

13.28mm

Normen/Zulassungen

Pb-Free Halide free non AEC-Q and PPAP

Breite

2.4 mm

Länge

10.2mm

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor SuperFET III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction (SJ) MOSFET-Familie Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Daher ist der SuperFET III MOSFET sehr geeignet für die verschiedenen Stromversorgungssysteme für Miniaturisierung und höhere Effizienz.

Hohe Leistungsdichte

Kelvin-Quellkonfiguration

Geringes Gate-Rauschen und Schaltverluste

Optimierte Kapazität

Geringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-Oszillation

Garantie für Feuchtigkeitsempfindlichkeit Stufe 1

Hohe Zuverlässigkeit in feuchter Umgebung

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