onsemi SUPERFET III Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 62 A 379 W, 4-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
230-9084
Herst. Teile-Nr.:
NTH4LN040N65S3H
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

62A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

SUPERFET III

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

40mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

379W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

132nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.2mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

2.4 mm

Höhe

13.28mm

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor SuperFET III MOSFET ist eine neue Hochspannungs-Super-Junction (SJ) MOSFET-Familie, die Ladungsausgleichstechnologie für einen hervorragenden niedrigen Betriebswiderstand und eine geringere Gate-Ladungsleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Daher trägt die SuperFET III MOSFET FAST-Serie zur Minimierung verschiedener Stromversorgungssysteme und zur Verbesserung der Systemeffizienz bei.

100 % Lawinengeprüft

RoHS-kompatibel

Typ. RDS(on) = 32 mΩ

Interner Gate-Widerstand: 0,7 Ω

Ultraniedrige Gatterladung (typ. QG = 132 nC)

700 V bei TJ = 150 °C

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