onsemi SUPERFET III Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 24 A 181 W, 3-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)*

1.562,40 €

(ohne MwSt.)

1.859,20 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
800 +1,953 €1.562,40 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
205-2469
Herst. Teile-Nr.:
FCB125N65S3
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET & Diode

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

24A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

SUPERFET III

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

125mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

46nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

181W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

4.6mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

9.6 mm

Länge

14.6mm

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor SuperFET III N-Kanal-MOSFET ist eine Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie, die Ladungsausgleichstechnologie für einen hervorragenden niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringere Gate-Ladungsleistung nutzt. Diese Advanced Technology ist auf die Minimierung von Leitungsverlusten ausgelegt, bietet eine überlegene Schaltleistung und hält extremen dv/dt-Rate stand.

Der Dauerablassstrom beträgt 24 A.

Der Ablass zur Quelle bei einem Widerstand beträgt 125 MOhm

Extrem niedrige Gate-Ladung

Niedrige gespeicherte Energie in der Ausgangskapazität

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Gehäusetyp ist D2-PAK

Verwandte Links