onsemi NTH4LN019N Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 75 A 625 W, 4-Pin TO-247

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Stange mit 450 Stück)*

7.138,80 €

(ohne MwSt.)

8.495,10 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 12. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
450 +15,864 €7.138,80 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
221-6707
Herst. Teile-Nr.:
NTH4LN019N65S3H
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

75A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

NTH4LN019N

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

19.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

282nC

Maximale Verlustleistung Pd

625W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

These Devices are Pb-Free and are RoHS

Höhe

22.74mm

Länge

15.8mm

Breite

5.2 mm

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor SuperFET III MOSFET verfügt über eine Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie, die Ladungsausgleichstechnologie für einen hervorragenden niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringere Gate-Ladungsleistung nutzt. Diese Advanced Technology ist auf die Minimierung von Leitungsverlusten ausgelegt, bietet eine überlegene Schaltleistung und hält extremen dv/dt-Rate stand.

Extrem niedrige Gate-Ladung

Niedrige effektive Ausgangskapazität: 2495 pF

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Verwandte Links