onsemi NTH027N65S3F NTH027N65S3F-F155 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 75 A 595 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 172-3395
- Herst. Teile-Nr.:
- NTH027N65S3F-F155
- Marke:
- onsemi
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|---|---|---|
| 450 + | 13,816 € | 6.217,20 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 172-3395
- Herst. Teile-Nr.:
- NTH027N65S3F-F155
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Diese PIN-Diode wurde für Kompaktheit und Effizienz entwickelt. Zwei PIN-Dioden sind in einem SC-70-Gehäuse integriert. Die Verwendung von zwei PIN-Dioden können sowohl Systemkosten als auch Platz auf der Platine verringern. Diese PIN-Diode ist PPAP-fähig für den Einsatz in der Automobilindustrie.
PPAP-fähigGeeignet für AutomobilanwendungenBleifrei und halogenfreiUmweltschutzaspekteSerielle Verbindung von 2 Elementen in einem kleinen GehäuseErhebliche Verbesserung der Montageeffizienz.MCP3-Gehäuse ist anschlusskompatibel mit SC-70Austausch von SC-70 ist möglichGeringe Interterminal-Kapazität (C = 0,23 pF typ.)Geeignet für Pegel-DetektorGeringer vorwärts gerichteter Serienwiderstand (rs = 4,5 Ω max.)Geeignet für UHF-BandAutomatischer Videoverstärker mit Verstärkungsregelung für AutomobilfunkantenneAutomobilantenneAutomobilradioempfänger
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 75 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V |
| Gehäusegröße | TO-247 |
| Serie | NTH027N65S3F |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 27,4 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V |
| Verlustleistung max. | 595 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±30 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 4.82mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 259 nC bei 10 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 15.87mm |
| Höhe | 20.82mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.3V |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
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