onsemi FCH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 24 A 181 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
178-4239
Herst. Teile-Nr.:
FCH125N65S3R0-F155
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

24A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

FCH

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

125mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

46nC

Maximale Verlustleistung Pd

181W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

15.87mm

Höhe

20.82mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.82 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
SUPERFET III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleich-Technologie für einen herausragend geringen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladeleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Damit trägt die SUPERFET III MOSFET-Easy-Drive-Serie zur Beherrschung von elektromagnetischen Störungen (EMI) bei und ermöglicht eine einfachere Design-Implementierung.

700 V bei TJ = 150 °C

Niedrige effektive Ausgangskapazität (typ. Coss (eff.) = 439 pF)

Ultraniedrige Gatterladung (typ. Qg = 46 nC)

Optimierte Kapazität

Typ. RDS(on) = 105 mΩ

Interner Gate-Widerstand: 0,5 Ω

Vorteile:

Höhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger Temperatur

Geringe Schaltverluste

Geringe Schaltverluste

Geringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-Oszillation

Anwendungen:

Computer

Unterhaltungselektronik

Industrieausführung

Endprodukte:

Notebook/Desktop-Computer/Spielkonsole

Telekommunikation/Server

USV/Solar

LED-Beleuchtung / Starter

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