onsemi NTH027N65S3F Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 75 A 595 W, 3-Pin TO-247

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Herst. Teile-Nr.:
NTH027N65S3F-F155
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

75A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

NTH027N65S3F

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

27.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

259nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

595W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

15.87mm

Breite

4.82 mm

Höhe

20.82mm

Automobilstandard

Nein

Diese PIN-Diode wurde für Kompaktheit und Effizienz entwickelt. Zwei PIN-Dioden sind in einem SC-70-Gehäuse integriert. Die Verwendung von zwei PIN-Dioden können sowohl Systemkosten als auch Platz auf der Platine verringern. Diese PIN-Diode ist PPAP-fähig für den Einsatz in der Automobilindustrie.

PPAP-fähigGeeignet für AutomobilanwendungenBleifrei und halogenfreiUmweltschutzaspekteSerielle Verbindung von 2 Elementen in einem kleinen GehäuseErhebliche Verbesserung der Montageeffizienz.MCP3-Gehäuse ist anschlusskompatibel mit SC-70Austausch von SC-70 ist möglichGeringe Interterminal-Kapazität (C = 0,23 pF typ.)Geeignet für Pegel-DetektorGeringer vorwärts gerichteter Serienwiderstand (rs = 4,5 Ω max.)Geeignet für UHF-BandAutomatischer Videoverstärker mit Verstärkungsregelung für AutomobilfunkantenneAutomobilantenneAutomobilradioempfänger

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