onsemi FCH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 24 A 181 W, 3-Pin FCH125N65S3R0-F155 TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 178-4649
- Herst. Teile-Nr.:
- FCH125N65S3R0-F155
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 24A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | FCH | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 125mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 181W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 46nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 15.87mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 20.82mm | |
| Breite | 4.82 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 24A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie FCH | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 125mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 181W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 46nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 15.87mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 20.82mm | ||
Breite 4.82 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
SUPERFET III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleich-Technologie für einen herausragend geringen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladeleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Damit trägt die SUPERFET III MOSFET-Easy-Drive-Serie zur Beherrschung von elektromagnetischen Störungen (EMI) bei und ermöglicht eine einfachere Design-Implementierung.
700 V bei TJ = 150 °C
Niedrige effektive Ausgangskapazität (typ. Coss (eff.) = 439 pF)
Ultraniedrige Gatterladung (typ. Qg = 46 nC)
Optimierte Kapazität
Typ. RDS(on) = 105 mΩ
Interner Gate-Widerstand: 0,5 Ω
Vorteile:
Höhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger Temperatur
Geringe Schaltverluste
Geringe Schaltverluste
Geringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-Oszillation
Anwendungen:
Computer
Unterhaltungselektronik
Industrieausführung
Endprodukte:
Notebook/Desktop-Computer/Spielkonsole
Telekommunikation/Server
USV/Solar
LED-Beleuchtung / Starter
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