onsemi NTMFS1D7N N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 170 A 87 W, 5-Pin DFN

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221-6730P
Herst. Teile-Nr.:
NTMFS1D7N03CGT1G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

170A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

DFN

Serie

NTMFS1D7N

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.74mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

87W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

48nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

Pb-Free, RoHS

Höhe

6.3mm

Breite

1.1mm

Länge

5.3mm

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor 30 V Leistungs-MOSFET verwendete 170 A Abflussstrom mit einem N-Kanal. Es verbessert das Einschaltstrommanagement und verbessert die Systemeffizienz.

Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten

Niedrige Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten

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