onsemi NVMFS5C Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 277 A 146 W, 5-Pin NVMFS5C420NLT1G DFN
- RS Best.-Nr.:
- 221-6752
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFS5C420NLT1G
- Marke:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
20,40 €
(ohne MwSt.)
24,30 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 4.490 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 2,04 € | 20,40 € |
| 100 - 240 | 1,758 € | 17,58 € |
| 250 + | 1,525 € | 15,25 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 221-6752
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFS5C420NLT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 277A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Serie | NVMFS5C | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 100nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 146W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 5.3mm | |
| Länge | 6.3mm | |
| Breite | 1.1 mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, AEC-Q101 and PPAP Capable | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 277A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Serie NVMFS5C | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 100nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 146W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 5.3mm | ||
Länge 6.3mm | ||
Breite 1.1 mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS, AEC-Q101 and PPAP Capable | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor MOSFET für die Kfz-Versorgung in einem 5 x 6 mm flachen Kabelgehäuse, das für kompakte und effiziente Designs und einschließlich hoher Wärmeleistung entwickelt wurde. Es ist für verbesserte optische Inspektion erhältlich. AEC-Q101-fähiger MOSFET und PPAP-fähig, geeignet für Kfz-Anwendungen.
Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten
Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten