DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1.3 A 0.45 W, 3-Pin SOT-323
- RS Best.-Nr.:
- 222-2828
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2310UW-7
- Marke:
- DiodesZetex
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
81,00 €
(ohne MwSt.)
96,00 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 11. Februar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,027 € | 81,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-2828
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2310UW-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SOT-323 | |
| Serie | DMN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 200mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.7nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.45W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.35 mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Länge | 2.2mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SOT-323 | ||
Serie DMN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 200mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.7nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.45W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.35 mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Länge 2.2mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Vollständig bleifrei und vollständig RoHS-konform
Verwandte Links
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal 3-Pin SOT-323
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal 3-Pin DMN2310UW-7 SOT-323
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal 3-Pin DMN2310UWQ-7 SOT-323
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal 4-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal 3-Pin SOT-323
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal 3-Pin DMN6140L-7 SOT-23
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal 4-Pin DMN10H220L-7 SOT-23
