DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1.6 A 1.3 W, 4-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 921-1048
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN10H220L-7
- Marke:
- DiodesZetex
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | DMN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 250mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.3nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.7V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.3W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie DMN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 250mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.3nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.7V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.3W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3mm | ||
Höhe 1mm | ||
Automobilstandard AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
N-Kanal-MOSFET, 100 V bis 950 V, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
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