DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 4.6 A 1.88 W, 3-Pin X4-DSN

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RS Best.-Nr.:
222-2837
Herst. Teile-Nr.:
DMN3061LCA3-7
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

DMN

Gehäusegröße

X4-DSN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

58mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.4nC

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Verlustleistung Pd

1.88W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.04 mm

Höhe

0.22mm

Länge

0.64mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um die Abmessungen in tragbaren und mobilen Anwendungen zu minimieren. Er kann verwendet werden, um viele kleine Signale MOSFET mit wirklich geringem Platzbedarf zu ersetzen.

Niedrige Qg und Qgd

Geringer Platzbedarf

Flache 0,20 mm Höhe

Vollständig bleifrei und vollständig RoHS-konform

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