DiodesZetex DMN N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 4.6 A 1.88 W, 3-Pin X4-DSN
- RS Best.-Nr.:
- 222-2837
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN3061LCA3-7
- Marke:
- DiodesZetex
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- DMN3061LCA3-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | X4-DSN | |
| Serie | DMN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 58mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.4nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.88W | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.04mm | |
| Länge | 640μm | |
| Höhe | 220μm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße X4-DSN | ||
Serie DMN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 58mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.4nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.88W | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.04mm | ||
Länge 640μm | ||
Höhe 220μm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um die Abmessungen in tragbaren und mobilen Anwendungen zu minimieren. Er kann verwendet werden, um viele kleine Signale MOSFET mit wirklich geringem Platzbedarf zu ersetzen.
Niedrige Qg und Qgd
Geringer Platzbedarf
Flache 0,20 mm Höhe
Vollständig bleifrei und vollständig RoHS-konform
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