DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 4.6 A 1.88 W, 3-Pin X4-DSN

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RS Best.-Nr.:
222-2838
Herst. Teile-Nr.:
DMN3061LCA3-7
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

X4-DSN

Serie

DMN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

58mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.4nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

1.88W

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

1.04 mm

Länge

0.64mm

Höhe

0.22mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um die Abmessungen in tragbaren und mobilen Anwendungen zu minimieren. Er kann verwendet werden, um viele kleine Signale MOSFET mit wirklich geringem Platzbedarf zu ersetzen.

Niedrige Qg und Qgd

Geringer Platzbedarf

Flache 0,20 mm Höhe

Vollständig bleifrei und vollständig RoHS-konform

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