DiodesZetex DMP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2.5 A 0.53 W, 3-Pin X2-DFN
- RS Best.-Nr.:
- 222-2854
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP2069UFY4Q-7
- Marke:
- DiodesZetex
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
10,15 €
(ohne MwSt.)
12,075 €
(inkl. MwSt.)
Fügen Sie 375 Stück hinzu, um eine kostenlose Lieferung zu erhalten.
Nur noch Restbestände
- Letzte 2.975 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,406 € | 10,15 € |
| 50 - 75 | 0,398 € | 9,95 € |
| 100 - 225 | 0,282 € | 7,05 € |
| 250 + | 0,277 € | 6,93 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-2854
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP2069UFY4Q-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | DMP | |
| Gehäusegröße | X2-DFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 54mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 9.1nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.53W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 1.58mm | |
| Höhe | 0.4mm | |
| Breite | 2.08 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie DMP | ||
Gehäusegröße X2-DFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 54mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 9.1nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.53W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 1.58mm | ||
Höhe 0.4mm | ||
Breite 2.08 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodesZetex P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom
Verwandte Links
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal 3-Pin X2-DFN
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal 3-Pin X2-DFN
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal 3-Pin X2-DFN
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal 6-Pin DFN
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal 3-Pin X1-DFN
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal 3-Pin X1-DFN
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal 9-Pin X2-DSN1515-9
- DiodesZetex DMP22D5UFO Typ P-Kanal 3-Pin X2-DFN
