DiodesZetex DMP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 65 V / 192 mA 1.21 W, 3-Pin X1-DFN
- RS Best.-Nr.:
- 222-2863
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP68D0LFB-7B
- Marke:
- DiodesZetex
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- 222-2863
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- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 192mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 65V | |
| Serie | DMP | |
| Gehäusegröße | X1-DFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.1nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.21W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 0.68 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 0.53mm | |
| Länge | 1.08mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 192mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 65V | ||
Serie DMP | ||
Gehäusegröße X1-DFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.1nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.5V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.21W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 0.68 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 0.53mm | ||
Länge 1.08mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodesZetex P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom
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