DiodesZetex DMP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 65 V / 192 mA 1.21 W, 3-Pin X1-DFN
- RS Best.-Nr.:
- 222-2864
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP68D0LFB-7B
- Marke:
- DiodesZetex
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 222-2864
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP68D0LFB-7B
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 192mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 65V | |
| Serie | DMP | |
| Gehäusegröße | X1-DFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.1nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -1.5V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.21W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 0.68 mm | |
| Höhe | 0.53mm | |
| Länge | 1.08mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 192mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 65V | ||
Serie DMP | ||
Gehäusegröße X1-DFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.1nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -1.5V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.21W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 0.68 mm | ||
Höhe 0.53mm | ||
Länge 1.08mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodesZetex P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom
Verwandte Links
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal 3-Pin X1-DFN
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal 3-Pin X1-DFN
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal 3-Pin X1-DFN1006-3
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal 3-Pin X2-DFN
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal 3-Pin X1-DFN
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal 3-Pin X1-DFN
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal 3-Pin X1-DFN
- DiodesZetex 0.2A SBR Oberfläche Diode Avalance Einfach 2-Pin X1-DFN
