DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 1.4 A 500 mW, 3-Pin X1-DFN
- RS Best.-Nr.:
- 790-4583
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN1150UFB-7B
- Marke:
- DiodesZetex
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 12V | |
| Serie | DMN | |
| Gehäusegröße | X1-DFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 210mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500mW | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.5nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.7V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.48mm | |
| Länge | 1.08mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 12V | ||
Serie DMN | ||
Gehäusegröße X1-DFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 210mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500mW | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.5nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.7V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.48mm | ||
Länge 1.08mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal-MOSFET, 12 V bis 28 V, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
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