DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 0.9 A 890 mW, 3-Pin X1-DFN

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RS Best.-Nr.:
246-6794
Herst. Teile-Nr.:
DMN2310UFD-7
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

0.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

X1-DFN

Serie

DMN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.7nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Maximale Verlustleistung Pd

890mW

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

1.25mm

Höhe

0.53mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.25 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der DiodesZetex ist ein zweifacher N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET, der den Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) minimiert und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechterhält, womit er ideal für hocheffiziente Leistungsmanagementanwendungen ist. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem U-DFN1212-3-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad. Seine zu 100 % ungeklemmte induktive Schaltung sorgt für eine zuverlässigere und robustere Endanwendung.

Die maximale Ableitungs-Quellenspannung beträgt 20 V und die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±8 V. Sie bietet eine ultrakleine Gehäusegröße. Sie hat eine niedrige Eingangs-/Ausgangsleckage

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