DiodesZetex DMN N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 900 mA 890 mW, 3-Pin X1-DFN
- RS Best.-Nr.:
- 246-7511
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2310UFD-7
- Marke:
- DiodesZetex
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- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 900mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | X1-DFN | |
| Serie | DMN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.7nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 890mW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 1.25mm | |
| Höhe | 530μm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.25mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 900mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße X1-DFN | ||
Serie DMN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.7nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 890mW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 1.25mm | ||
Höhe 530μm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.25mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodesZetex ist ein zweifacher N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET, der den Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) minimiert und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechterhält, womit er ideal für hocheffiziente Leistungsmanagementanwendungen ist. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem U-DFN1212-3-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad. Seine zu 100 % ungeklemmte induktive Schaltung sorgt für eine zuverlässigere und robustere Endanwendung.
Die maximale Ableitungs-Quellenspannung beträgt 20 V und die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±8 V. Sie bietet eine ultrakleine Gehäusegröße. Sie hat eine niedrige Eingangs-/Ausgangsleckage