DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 1.4 A 500 mW, 3-Pin X1-DFN

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RS Best.-Nr.:
169-7186
Herst. Teile-Nr.:
DMN1150UFB-7B
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

12V

Serie

DMN

Gehäusegröße

X1-DFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

210mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.5nC

Durchlassspannung Vf

0.7V

Maximale Verlustleistung Pd

500mW

Gate-Source-spannung max Vgs

6 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

0.68 mm

Höhe

0.48mm

Länge

1.08mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN

N-Kanal-MOSFET, 12 V bis 28 V, Diodes Inc.


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


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