DiodesZetex N-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 1,4 A 500 mW, 3-Pin X1-DFN1006

RS Best.-Nr.:: 169-7186
Herst. Teile-Nr.:: DMN1150UFB-7B
Marke:: DiodesZetex

DiodesZetex N-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 1,4 A 500 mW, 3-Pin X1-DFN1006

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RS Best.-Nr.:: 169-7186
Herst. Teile-Nr.:: DMN1150UFB-7B
Marke:: DiodesZetex

DMN1150UFB N-channel Enhancement Mode MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	1,4 A
Drain-Source-Spannung max.	12 V
Gehäusegröße	X1-DFN1006
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	210 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	1V
Verlustleistung max.	500 mW
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-6 V, +6 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	1,5 nC @ 4,5 V
Länge	1.08mm
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	0.675mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	0.48mm

DiodesZetex N-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 1,4 A 500 mW, 3-Pin X1-DFN1006

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N-Kanal-MOSFET, 12 V bis 28 V, Diodes Inc.

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