Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 171 A 517 W, 3-Pin TO-247

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222-4612P
Herst. Teile-Nr.:
AUIRFP4568
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

171A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

517W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

151nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

5.31mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

15.87mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Das Infineon Design der HEXFET ® Leistungs-MOSFETs nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in der Automobilindustrie und einer Vielzahl anderer Anwendungen.

Fortschrittliche Planartechnologie

Zweifach-N-Kanal-MOSFET mit niedrigem Betriebswiderstand

Logikebenen-Gate-Antrieb

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