Infineon CoolGaN IGT60R190D1SATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 12,5 A, 8-Pin HSOF-8

RS Best.-Nr.:: 222-4637
Herst. Teile-Nr.:: IGT60R190D1SATMA1
Marke:: Infineon

Infineon CoolGaN IGT60R190D1SATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 12,5 A, 8-Pin HSOF-8

Voraussichtlich ab 10.06.2026 verfügbar.

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 2000)

9,702 €

(ohne MwSt.)

11,545 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
2000 +	9,702 €	19.404,00 €

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RS Best.-Nr.:: 222-4637
Herst. Teile-Nr.:: IGT60R190D1SATMA1
Marke:: Infineon

Datasheet - IGT60R190D1SATMA1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	12,5 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Gehäusegröße	HSOF-8
Serie	CoolGaN
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	0,19 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	1.6V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Silicon

Infineon CoolGaN IGT60R190D1SATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 12,5 A, 8-Pin HSOF-8

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