Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 44 A 245 W, 8-Pin HSOF

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)*

7.640,00 €

(ohne MwSt.)

9.100,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 03. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2000 +3,82 €7.640,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
215-2555
Herst. Teile-Nr.:
IPT60R050G7XTMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

44A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

HSOF

Serie

CoolMOS P7

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

50mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

68nC

Durchlassspannung Vf

0.8V

Maximale Verlustleistung Pd

245W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Infineon Cool MOS TM C7 Gold Super Junction MOSFET-Serie (G7) vereint die Vorteile der verbesserten 600-V-Cool MOS TM C7 Gold-Technologie, 4-polige Kelvin-Quellfähigkeit und die verbesserten thermischen Eigenschaften des TO-Leadless (TOLL)-Gehäuses, um eine mögliche SMD-Lösung für Starkstrom-Hartschalungstopologien wie Leistungsfaktorkorrektur (PFC) bis zu 3 kW und für Schwingkreise wie High End LLC zu ermöglichen.

Bietet erstklassige FOM R DS(on)xE oss und R DS(on)XQ G

Ermöglicht Best-in-Class R DS(on) auf kleinstem Raum

Verwandte Links