Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 90 A 144 W, 3-Pin TO-252

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222-4679
Herst. Teile-Nr.:
IPD90N08S405ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

90A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

CoolMOS

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

52nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

144W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.3mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.5mm

Breite

6.22 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Das Infineon Design von MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

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