Infineon CoolMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 16 A 83 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 222-4705
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP60R145CFD7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
22,20 €
(ohne MwSt.)
26,40 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 355 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 4,44 € | 22,20 € |
| 25 - 45 | 3,908 € | 19,54 € |
| 50 - 120 | 3,644 € | 18,22 € |
| 125 - 245 | 3,42 € | 17,10 € |
| 250 + | 3,154 € | 15,77 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-4705
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP60R145CFD7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 16A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 145mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 83W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 31nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Länge | 10.36mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 15.95mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 16A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie CoolMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 145mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 83W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 31nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 4.57mm | ||
Länge 10.36mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 15.95mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, stehen für "Feldeffekttransistoren von Metalloxid-Halbleiter-Transistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.
Bleifreie Leitungsbeschichtung; RoHS-konform
Überlegene Wärmebeständigkeit, 100 % auf Lawinengefahr geprüft
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-23
Verwandte Links
- Infineon CoolMOS N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS C6 N-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS P7 N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS C7 N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS C7 N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS C3 N-Kanal 3-Pin TO-220